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復(fù)合熱釋電薄膜紅外探測(cè)器制備

[2021/8/12]

  在制備熱釋電薄膜紅外探測(cè)器的過程中存在的問題是:

  1、如何使薄膜制備工藝和半導(dǎo)體工藝兼容,以期制備高性能的單片式非致冷紅外焦平面器件。

  2、如何設(shè)計(jì)探測(cè)器結(jié)構(gòu),使探測(cè)器有較大的響應(yīng)特性。

  采用復(fù)合熱釋電薄膜可以同時(shí)很好地解決這兩個(gè)問題,復(fù)合熱釋電薄膜的結(jié)構(gòu)如下圖所示:

復(fù)合熱釋電薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖

  在這種結(jié)構(gòu)中,絕熱膜采用多孔SiO2薄膜,它具有孔率高、熱導(dǎo)率小等特點(diǎn),可以很好地解決熱散失問題,從而可以大幅度地提高探測(cè)器的響應(yīng)特性。也就是說,復(fù)合薄膜結(jié)構(gòu)從解決熱散失方面,較好地解決了前面提到的第2個(gè)問題,利用致密的SiO2薄膜作為緩沖層,稱為過渡膜,它的主要作用是為制備熱釋電薄膜提供平整的基底。

  在此結(jié)構(gòu)中:多孔SiO2絕熱薄膜、致密SiO2過渡薄膜均采用傳統(tǒng)的溶膠-凝膠工藝制備;熱釋電薄膜采用MOD方法制備;上、下電極以及吸收層的制備均采用直流濺射獲得。這些制備工藝完全與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體工藝兼容,解決了薄膜制備工藝和半導(dǎo)體工藝的兼容性問題。進(jìn)一步,采用合理的工藝和工序,就可以制備單片式復(fù)合熱釋電薄膜焦平面紅外探測(cè)器。

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