制作紅外探測(cè)器的材料有6種，有一價(jià)化合物，也有二價(jià)合金。如工作在短波區(qū)的硫化鉛（Pbs）是早作為點(diǎn)源探測(cè)器的紅外材料；工作在中波區(qū)的有銻化鋼（InSb），硅化鉑（PtSi）以及碲鎘汞（HgCdTe），也叫CNIT；工作在民波區(qū)的有碲鎘汞、氧化釩（VO-）和硅化銥（IrSi）等。

  最近又有一種新型的紅外材料—碲鋅鎘汞問世，它可用于制造紅外量子阱器件（QWIR）。

  目前的紅外器件大體分為2類，即線陣和而陣。

  線陣器件又分為普通型和時(shí)間延遲積分（TDI）型2種，必須采用掃描方式才能成像；而而陣又稱為焦平兒陣列，為凝視型，即小用掃描就能成像，現(xiàn)在已有第3代紅外器件推向市場(chǎng)，2KX2K大規(guī)格器件用于工程中。在器件研制與生產(chǎn)方面，美國(guó)和法國(guó)始終處于領(lǐng)先地位，而德國(guó)也小示弱，已將2波段器件推向中國(guó)市場(chǎng)。

  而器件木身的平要性能及參數(shù)，如D*值、NETD值等已提高了一到幾個(gè)數(shù)量級(jí)，由其組成的系統(tǒng)性能也顯著提高。