60年代以前多為單元紅外探測器掃描成像，但靈敏度低，二維掃描系統(tǒng)結構復雜笨重。增加探測元，例如有N元組成的探測器，靈敏度增加N1/2倍，一個M×N陣列，靈敏度增長（M×N）1/2倍。

  元數(shù)增加還將簡化光機掃描機構，大規(guī)模凝視焦平面陣列，不再需要光機掃描，大大簡化整機系統(tǒng)?，F(xiàn)代紅外探測器技術進入第二、第三代，重要標志之一就是元數(shù)大大增加。另一方面是開發(fā)同時覆蓋兩個波段以上的雙色和多光譜探測器。所有進展都離不開新技術特別是半導體技術的開發(fā)和進步。幾項具有里程碑意義的技術有：

  （1）半導體精密光刻技術

  使紅外探測器技術由單元向多元線列探測器迅速發(fā)展，即后來稱為第一代探測器。

  （2）Si集成電路技術

  Si讀出電路與光敏元大面陣耦合，誕生了所謂第二代的大規(guī)模紅外焦平面陣列探測器 。更進一步有Z平面和靈巧型智能探測器等新品種。此項技術還誘導產生非制冷焦平面陣列 ，使一度冷落的熱探測器重現(xiàn)勃勃生機。

  （3）先進的薄層材料生長技術

  分子束外延、金屬有機化學汽相淀積和液相外延等技術可重復、精密控制生長大面積高度均勻材料，使制備大規(guī)模紅外焦平面陣列成為可能。也是量子阱探測器出現(xiàn)的前提。

  （4）微型制冷技術

  高性能探測器低溫要求驅動微型制冷機的開發(fā)，制冷技術又促進了探測器的研制和應用。

  我國紅外探測器研制從1958年開始，至今已40多年。先后研制過PbS、PbSe、Ge:Au、Ge:Hg 、InSb、PbSnTe、HgCdTe、PtSi/Si、GaAs/AlGaAs量子阱和熱釋電探測器等。 隨著低維材料出現(xiàn)，納米電子學、光電一體化等技術日新月異，21世紀紅外探測器必有革命性的進展。物理學及材料科學是現(xiàn)代技術發(fā)展的主要基礎，現(xiàn)代技術飛速發(fā)展對物理學研究又有巨大的反作用。