在制備熱釋電薄膜紅外探測器的過程中存在的問題是：

  1、如何使薄膜制備工藝和半導體工藝兼容，以期制備高性能的單片式非制冷紅外焦平面器件；

  2、如何設計探測器結構，使探測器有較大的響應特性，采用復合熱釋電薄膜可以同時很好地解決這兩個問題。復合熱釋電薄膜的結構如下圖所示：

  在這種結構中，絕熱膜采用多孔SiO2薄膜，它具有孔率高、熱導率小等特點，可以很好地解決熱散失問題，從而可以大幅度地提高探測器的響應特性。也就是說，復合薄膜結構從解決熱散失方面，較好地解決了前面提到的第2個問題。利用致密的SiO2薄膜作為緩沖層，稱為過渡膜，它的主要作用是為制備熱釋電薄膜提供平整的基底。

  在此結構中：多孔SiO2絕熱薄膜、致密SiO2過渡薄膜均采用傳統(tǒng)的溶膠-凝膠工藝制備；熱釋電薄膜采用MOD方法制備；上、下  電極以及吸收層的制備均采用直流濺射獲得。這些制備工藝完全與傳統(tǒng)的半導體工藝兼容，解決了薄膜制備工藝和半導體工藝的兼容性問題。進一步，采用合理的工藝和工序，就可以制備單片式符合熱釋電薄膜焦平面紅外探測器。